P-type SI-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GAAS substrates
Título del documento: P-type SI-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GAAS substrates
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000134429
ISSN: 0103-9733
Autors: 1
Institucions: 1Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica, Sao Paulo. Brasil
Any:
Període: Dic
Volum: 27A
Número: 4
Paginació: 125-129
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplines Física y astronomía
Paraules clau: Física de materia condensada,
Semiconductores,
Epitaxia,
Fotoluminiscencia,
Efecto Hall
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Semiconductors,
Epitaxy,
Photoluminescence,
Hall effect
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