Experimental evidence of deep acceptor levels in GaAs exposed to near band gap light
Título del documento: Experimental evidence of deep acceptor levels in GaAs exposed to near band gap light
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000134388
ISSN: 0103-9733
Autors: 1
Institucions: 1Universidade de Brasilia, Departamento de Física, Brasilia, Distrito Federal. Brasil
Any:
Període: Dic
Volum: 27A
Número: 4
Paginació: 116-120
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplines Física y astronomía
Paraules clau: Física de materia condensada,
Optica,
Semiconductores,
Fotoconductividad,
Fotoluminiscencia,
Arseniuro de galio,
Impurezas
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Optics,
Semiconductors,
Photoconductivity,
Photoluminescence,
Gallium arsenide,
Impurities
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