Electronic and structural properties of complex defects in GaAs
Título del documento: Electronic and structural properties of complex defects in GaAs
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000134387
ISSN: 0103-9733
Autors: 1
Institucions: 1Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica, Sao Paulo. Brasil
2Universidade Federal de Santa Maria, Departamento de Fisica, Santa Maria, Rio Grande do Sul. Brasil
Any:
Període: Dic
Volum: 27A
Número: 4
Paginació: 110-115
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplines Física y astronomía
Paraules clau: Física de materia condensada,
Semiconductores,
Defectos complejos,
Propiedades electrónicas,
Arseniuro de galio
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Semiconductors,
Complex defects,
Electronic properties,
Gallium arsenide
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