Effects of internal strains on resonant tunneling of holes
Título del documento: Effects of internal strains on resonant tunneling of holes
Revista: Brazilian journal of physics
Base de datos: PERIÓDICA
Número de sistema: 000134821
ISSN: 0103-9733
Autors: 1
Institucions: 1Universidade do Amazonas, Departamento de Física, Manaus, Amazonas. Brasil
2Universidade Federal de Sao Carlos, Departamento de Física, Sao Carlos, Sao Paulo. Brasil
Any:
Període: Dic
Volum: 27A
Número: 4
Paginació: 281-285
País: Brasil
Idioma: Inglés
Tipo de documento: Artículo
Enfoque: Analítico
Disciplines Física y astronomía
Paraules clau: Física de materia condensada,
Semiconductores,
Tensiones internas,
Efecto túnel,
Portadores
Keyword: Physics and astronomy,
Condensed matter physics,
Semiconductors,
Internal strains,
Tunnel effect,
Carriers
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