| Revista: | Revista Facultad de Ingeniería. Universidad de Antioquia |
| Base de datos: | |
| Número de sistema: | 000563372 |
| ISSN: | 0120-6230 |
| Autores: | Hernández González, Leobardo1 Arvizu Ogilvie, Climaco1 Tapia Hernández, Alejandro2 Ponce Silva, Mario3 Claudio Sánchez, Abraham3 Rodríguez Blanco, Marco4 Aguayo Alquicira, Jesús3 |
| Instituciones: | 1Instituto Politécnico Nacional, Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica, Ciudad de México. México 2Continental Automotive, Instrumentation and Driver HMI, Guadalajara, Jalisco. México 3Centro Nacional de Investigación y Desarrollo Tecnológico, Cuernavaca, Morelos. México 4Universidad Autónoma del Carmen, Departamento de Ingeniería Electrónica, Ciudad del Carmen, Campeche. México |
| Año: | 2018 |
| Periodo: | Abr-Jun |
| Número: | 87 |
| Paginación: | 8-15 |
| País: | Colombia |
| Idioma: | Inglés |
| Tipo de documento: | Artículo |
| Resumen en español | Este artículo presenta el diseño de un circuito de detección de fallas aplicado a Mosfet de carburo de silicio; la detección de falla es realizada a través del monitoreo de comportamiento de la señal de compuerta. Las más importantes características que se analizaron y se reportan son: rápida detección debido a que la evaluación se realiza en la conmutación a encendido, permitiendo la detección de fallas en corto circuito y circuito abierto; tiempos rápidos de detección lo que previene difusión de la falla al sistema completo. Para validar el circuito de detección fue diseñado un convertidor boost con SiC-Mosfet. Los resultados obtenidos validan la confiabilidad de la propuesta presentada. |
| Resumen en inglés | This paper presents the design of a fault detection circuit applied to a silicon carbide Mosfet (SiC-Mosfet). Fault detection is done by monitoring the behavior of the gate signal. The most important characteristic that has been reported in literature is quick detection since the evaluation is done while the SiC Mosfet is turning-on. With this method fast detection is allowed for short-circuit and open-circuit failure with small times for detection which prevents to spread the failure to the full system. To validate the fault detection circuit a boost converter with SiC-Mosfet was designed. Experimental results validate the reliability of the proposal. |
| Disciplinas: | Ingeniería |
| Palabras clave: | Semiconductor, Carburo de silicio, Detección de fallas, Ingeniería electrónica |
| Keyword: | Semiconductor, Silicon carbide, Fault-detection, Electronic engineering |
| Texto completo: | Texto completo (Ver HTML) Texto completo (Ver PDF) |
